RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3327
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link