RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
42
Autour de -110% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3217
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link