RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3169
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link