RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3664
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link