RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2708
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link