RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2833
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link