RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
42
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
40
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2495
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link