RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3806
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link