RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2609
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link