RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3007
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link