RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2497
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link