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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3004
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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