RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3372
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link