RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3238
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link