RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.1
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2532
3293
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link