RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de 3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2281
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link