RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3337
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link