RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3639
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link