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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
35
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2809
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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