RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2817
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link