RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
84
Autour de 58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
84
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
1574
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link