RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3832
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Jinyu 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link