RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
21.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
23.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
21.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
4565
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link