RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3722
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link