RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2600
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link