RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2640
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link