Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Note globale
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    35 left arrow 38
    Autour de 8% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.7 left arrow 13.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.4 left arrow 9.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 12800
    Autour de 2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    35 left arrow 38
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.7 left arrow 14.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.6 left arrow 12.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2312 left arrow 2908
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons