RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2382
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link