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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3075
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
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Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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