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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
45
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
45
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2925
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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