RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
40
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2959
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link