RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
40
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2397
3015
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link