RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
42
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
42
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2525
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link