RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
59
Autour de 34% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
59
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2181
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link