RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2356
2946
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link