RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
39
Autour de -22% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
32
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3726
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link