RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3226
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link