RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
39
Autour de -8% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
36
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
2653
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link