RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
86
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
86
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
1469
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link