RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3447
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link