RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Comparez
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Note globale
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
63
Autour de -186% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
22
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
3166
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaison des RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link