RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Comparez
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Note globale
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
26
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
21
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2270
3507
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link