RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparez
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Note globale
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2270
2046
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link