RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
85
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
85
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
1118
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F21UB8GS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link