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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Raisons de considérer
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
3406
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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Super Talent F24EA8GS 8GB
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