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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
2913
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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