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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de -3% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
2422
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
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