Comparaison de la RAM PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Note globale

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

38 46

Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.7 16

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.4 10.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 12800

Autour de 2 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2753 2660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns