Comparaison de la RAM PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Note globale

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.7 15.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.0 10.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 12800

Autour de 2 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2753 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns