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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
55
Autour de -120% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
1,622.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
55
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,098.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,622.4
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
628
2542
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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